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MEMS 技術(shù)用于超小型音叉晶體

發(fā)布時(shí)間:2021-09-29

        MEMS 技術(shù)用于超小型音叉晶體,使體積壓縮至原有產(chǎn)品 1/10

      音叉諧振器包括底部和從底部延伸的兩個(gè)振動(dòng)臂,在兩個(gè)振動(dòng)臂上鍍有激勵電極(紅色 部分)。該常規結構的晶片微型化后,激勵電極面積將隨之減小,不利于起振。MEMS 技 術(shù)通過(guò)對振動(dòng)片進(jìn)行三維立體加工形成 H 型槽的構造,既確保了電極的面積,又提高了 電解效率。MEMS 技術(shù)有效推動(dòng)晶體諧振器小型化發(fā)展,光刻加工下的晶振體積縮小至 18.8mm3 小型音叉型晶體器件,體積僅為原有產(chǎn)品 1/10 以下。

        MEMS 技術(shù)用于 AT 型晶體/AT 振蕩器,將尺寸公差保持在 1um 以?xún)取?br/>

      利用 MEMS 技術(shù)的光刻加工可以提升石英晶體芯片的一致性與穩定性,光蝕刻工藝能夠 將尺寸公差保持在 1um 以?xún)取?br/>

    光刻工藝首先使用電子束真空沉積系統將石英晶片化學(xué)蝕刻至預定頻率,清潔并用鉻和 金薄膜金屬化。石英掩模和雙對準器光刻生成 AT 條帶圖案,其中晶片的頂部和底部表面同時(shí)對準和曝光。然后通過(guò)隨后的光掩模步驟限定晶體電極和探針焊盤(pán)案。然后對晶片 進(jìn)行化學(xué)金屬和石英蝕刻以形成單獨的AT 條帶。最后,使用孔掩模和薄膜金屬沉積將頂部和底部安裝墊連接在一起。光刻工藝完成后,晶圓包含上百個(gè)獨立的超小型AT晶體諧振器。


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